技术编号：7244318
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及具有LED (Light Emitting Diode)元件的加热装置和包括该加热装置的退火装置。背景技术一般来说，为了制造半导体集成电路，对硅基板等半导体晶片反复进行成膜处理、氧化扩散处理、改性处理、蚀刻处理、退火处理等各种处理。在这些处理之中，在离子注入后为了使晶片中掺杂的杂质原子活性化而进行的退火处理中，为了将杂质的扩散抑制到最小限度，需要使半导体晶片更快速地升降温。 在现有的退火装置中，使用卤素灯等进行晶片的加热，但是卤素灯从点亮到作为热...
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