技术编号:7244390
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种图案化工艺,包括在一待定义层上形成一具有多个第一开口部的第一掩模层。在第一掩模层上及第一开口部内顺应性形成一第二掩模层。对第二掩模层实施一斜角离子注入,以在第二掩模层形成多个掺杂区域及多个未掺杂区域。蚀刻去除未掺杂区域,以形成多个第二开口部,其中第二开口部小于第一开口部的底部面积。随后,蚀刻第二开口部下方的待定义层。本发明所提供的图案化工艺具有较大的工艺弹性。此外,本发明所提供的工艺可与现行工艺相容,且可在无须使用电子束直写、软X射线、极紫外...
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