技术编号:7244432
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制作方法和浅沟槽隔离结构,该方法包括a)提供半导体衬底,在所述半导体衬底中形成沟槽;b)在所述沟槽的下部填充高深宽比氧化物层;c)在所述沟槽的上部填充高密度等离子体氧化物层,以形成浅沟槽隔离结构。本发明提供的方法通过在沟槽的下部填充高深宽比氧化物而在沟槽的上部填充高密度等离子体氧化物,一方面,由于高密度等离子体氧化物中OH悬挂键的浓度较低,因此可以避免在沟槽的上部区域氧化有源区;另一方面,由于高深宽比氧化物和高密度等离子体氧...
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