技术编号:7244440
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种CDMOS工艺以及制作方法,其主要内容包括将现有技术中CDMOS工艺中的耗尽型NMOS器件用PMOS器件代替,为了实现这种替代,在制作工艺上,增加了N型隔离阱,所述N型隔离阱处于P型隔离阱的空间内,并将增加的PMOS器件处于N型隔离阱内工作,由于PMOS器件是增强型器件,只有在PMOS器件栅极电压值达到设定的开启电压值时才进行工作,否则PMOS器件不工作,与现有的耗尽型NMOS器件相比,可避免耗尽型NMOS器件在不工作的状态下静态漏电流偏大...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。