技术编号：7244486
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种形成超高耐压电阻的版图结构，包括高耐压场效应管和多晶硅电阻；高耐压场效应管包括漏区、源区、漏区漂移区和漂移区；漏区位于场效应管的中央，漏区漂移区位于漏区和源区之间，源区位于栅极外且被漂移区包围；漏区漂移区中形成场氧，靠近漏区的一侧场氧上形成漏区多晶硅场板，另一侧形成栅极多晶硅，栅极多晶硅和源区多晶硅场板横向相连并与源区相连；多晶硅电阻形成于场氧上且位于漏区多晶硅场板和栅极多晶硅之间，其高压端通过金属线与高耐压场效应管的漏区和漏区多晶硅场板相...
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