技术编号:7244629
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种半导体结构的制造方法,该方法包括a)提供基层;b)刻蚀所述基层形成有底的开口(201);c)形成填充所述开口(201)的金属塞(202);d)在所述基层上形成与所述金属塞(202)的上平面相接触的石墨烯层(300)。相应地,本发明还提供根据上述制造方法形成的半导体结构。上述方法和结构通过将石墨烯结晶形成在预定区域中,增加了石墨烯结晶的颗粒尺寸,并结合最优化沉积石墨烯的步骤,有助于提升石墨烯材质的均匀度,因此提升了石墨烯材质在半导体结构中的工...
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