技术编号：7244860
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，刻蚀N型外延区的单晶形成凹进再生长场氧化层，而后淀积氧化硅并用化学机械研磨平坦化形成低于单晶表面500～1000埃的场氧凹进；淀积氧化硅和无定型硅，光刻和干法刻蚀无定型硅打开基区有源区，其窗口边缘位于场氧鸟嘴处，清洗硅表面后生长锗硅外延，有源区和场氧区的锗硅上表面基本齐平；淀积发射极窗口介质，打开发射极窗口及集电极有源区，淀积N型重掺杂的发射极多晶硅，形成发射极-基极结和低电阻通道。本发明调整场氧和单晶硅的相对高度及锗硅窗口相对场氧鸟嘴的...
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