技术编号:7244953
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种绝缘栅双极晶体管,本发明的绝缘栅双极晶体管在N型基区表面设置有P型基区、N+集电区、栅氧化层和栅极介质,在N型基区下表面设置了多晶P型半导体材料作为器件的背P+发射区;本发明的绝缘栅双极晶体管降低了器件的导通电阻,提高了器件的高频应用能力。本发明还提供了一种绝缘栅双极晶体管的制备方法。专利说明[0001]本发明涉及到一种绝缘栅双极晶体管,本发明还涉及一种绝缘栅双极晶体管的制备方法。背景技术[0002]绝缘栅双极晶体管(InsulatedGa...
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