技术编号:7245019
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,包括步骤在半导体衬底上各向异性刻蚀以形成纵向沟槽;在形成所述纵向沟槽的半导体衬底上生长第一外延层,使所述第一外延层覆盖所述纵向沟槽顶部,形成封闭结构;在所述封闭结构上进行各向异性和各向同性刻蚀,以形成沟槽阵列,并使所述沟槽阵列与所述纵向沟槽连通;所述沟槽阵列包括多个沟槽或通孔,所述多个沟槽或通孔的上部各自分离,下部相互连通形成腔体;生长第二外延层覆盖所述沟槽阵列,以形成封闭的多沟槽结构。该方法通过两次生长外延层,使多沟槽结构在制作过程中保持稳...
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