技术编号：7245193
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供半导体结构的一个实施例，该半导体结构包括半导体衬底；形成在半导体衬底中的浅沟槽隔离(STI)部件，其中STI部件是连续隔离部件并且包括位于第一区域中的第一部分和位于第二区域中的第二部分，STI部件的第一部分相对于STI部件的第二部分凹陷；位于半导体衬底中且邻接STI部件的有源区；设置在有源区上且在第一方向上延伸至STI部件的第一区域的栅极堆叠件；形成在有源区中并且栅极堆叠件介于其间的源极和漏极部件；以及形成在有源区中且在第二方向上在源极和漏极部件...
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