技术编号：7245213
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，该方法包括在半导体衬底上依次形成隔离氧化层和氮化硅层；依次刻蚀氮化硅层、隔离氧化层及半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；在所述沟槽内部表面生长一层衬垫氧化硅；对所述衬垫氧化硅进行退火处理，并通入氧气以提高衬垫氧化硅的形成质量；在沟槽内进行氧化物的填充及抛光，形成浅沟槽隔离区，并去除所述氮化硅层。采用本发明能够改善AA拐角处的衬垫氧化硅膜质量。专利说明[0001]本发明涉及半导体器件的制作技术，特别涉及一种。背景技术[0002]现有技术...
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