技术编号:7245237
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了,所述方法包括以下步骤对半导体硅外延片进行硅槽刻蚀、栅极氧化层生长、多晶硅淀积及回刻、绝缘介质淀积、肖特基势垒接触的形成及保护层处理,得到深沟槽肖特基二极管晶圆;对所述深沟槽肖特基二极管晶圆进行合金处理,并对合金处理后的深沟槽肖特基二极管晶圆进行背面处理,得到深沟槽肖特基二极管,其中,所述合金处理的主工艺时间为45~180分钟。与现有技术相比,本发明中合金处理的主工艺时间较长,从而能够更大程度地释放深沟槽肖特基二极管晶圆中的应力和可动电荷,避免...
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