技术编号:7245373
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种碳化硅半导体器件,更具体地,涉及一种用作横向型结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件。背景技术常规地,横向型结型场效应晶体管公知为碳化硅半导体器件(例如,参见日本专利特开No. 2003-68762 (专利文献I))。在这种横向型结型场效应晶体管中,沟道层中的电流和漂移层中的电场是在横向方向上的。当在由碳化硅(SiC)制成的衬底上形成这种横向型结型场效应晶体管时,通常使用由4H-SiC制成的并且具有面取向对应于{0001}面的主表面的衬底作为这种...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。