技术编号：7245463
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本公开涉及利用掺杂剂和掺杂气体混合物来提高离子注入系统中的离子源的寿命和性能的离子注入。背景技术如在半导体制造中所实践的，离子注入涉及通过将这种物质的高能离子(energetic ion)撞击在基底上而将化学物质沉积在基底,例如微电子装置(器件)晶片中。为了产生离子注入物质,使掺杂气体经受电离,例如,该掺杂气体可以包括掺杂物质的卤化物或氢化物。用离子源执行此电离，以产生离子束。一旦在离子源产生，便通过萃取(抽取)、磁过滤、加速/减速、分析器磁处理、准直、扫...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。