技术编号：7245496
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种双位元闪存，包括两个位于同一有源区中且相邻的SONOS存储器以及位于两个SONOS存储器之间的选择管，选择管的栅极结构的位置和尺寸直接由两个SONOS存储器之间的两个相邻侧墙自对准定义。本发明还公开了一种双位元闪存的制造方法。本发明还公开了一种双位元闪存的操作方法。本发明能实现一个单元结构中存储两位数据，不仅能够提高存储密度、缩小器件面积，还能防止两位数据之间的干扰，提高数据的可靠性。专利说明[0001]本发明涉及半导体集成电路制造领域，特...
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