技术编号:7245557
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了,在半导体基体中形成延伸到源极和漏极之中的Σ型导电沟道,一方面,Σ型导电沟道中多步外延生长锗化硅或碳化硅,另一方面,Σ型导电沟道边缘的非硅元素掺杂浓度小于中部的非硅元素掺杂浓度,从而通过渐变的非硅元素掺杂浓度,降低源漏极与导电沟道界面处的晶格适配形成了异质结,增大了导电沟道中的应力,两者都提高载流子的迁移率。专利说明[0001]本发明涉及半导体器件的制作技术,特别涉及。背景技术[0002]目前,半导体制造工业主要在硅衬底的晶片(wafer)器件...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。