技术编号:7245558
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,先于蓝宝石衬底表面制作u-GaN层,并刻蚀该u-GaN层形成由多个走道隔成多个独立的u-GaN单元;于各该u-GaN单元表面溅射周期性的介质层,并将其刻蚀成多个六角阵列排列且具有预设图案的介质层单元;然后沉积LED结构外延层、清理走道、制备电极、背面激光内切、背镀反射镜,最后裂片完成芯片制备。采用较薄的u-GaN层进行晶胞隔离,可以大大减小隔离时对u-GaN层及晶胞侧壁的损伤,制作图形化的介质层可以有效的提高发光二极管的亮度,采用激光内切,不但...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。