技术编号：7245657
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种实现肖特基二极管的双极集成电路结构的制造方法及双极集成电路结构。属于半导体。本发明的方法中，利用准等平面工艺形成所述外延层内的N阱、基区和P-层；并通过一次蚀刻形成肖特基接触孔；最后蒸发铝，以在肖特基接触孔内形成硅化合物肖特基势垒层。从而保证该工艺无需额外的肖特基接触光刻，也无需采用钛、铂和钯等贵金属，同时保持由钛、铂和钯等贵金属形成的肖特基势垒所具有的稳定性和重复性，与通用的双极集成电路生产工艺兼容，且有效简化了工艺流程，降低了生产成本，且...
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