技术编号:7245818
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,发射区形成后进行外基区离子注入,外基区离子注入由垂直外基区离子注入和带角度外基区离子注入两步组成,垂直外基区离子注入的注入方向和硅衬底表面垂直、注入杂质为P型杂质、注入剂量1e14cm-2~1e16cm-2;带角度外基区离子注入的注入方向和硅衬底表面垂直线相差一倾角、注入杂质为P型杂质、所述带角度外基区离子注入的注入剂量比所述垂直外基区离子注入的注入剂量小一个数量级。本发明能够在不改变现有工艺方法和流程的基础上就能实现降低器件的本征基区面...
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