技术编号:7245874
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,包括将硅锗薄膜由SOI晶圆转移至CMOS晶圆,对薄膜刻蚀形成沟道,用lift-off法形成金属顶电极,对薄膜刻蚀形成敏感区块,PECVD法沉积氮化硅支撑薄膜,电镀生长出金属电极柱,溅射TiW形成电路,溅射红外吸收层,刻蚀氮化硅层、TiW层等形成L形悬臂梁等步骤。本发明在微测辐射热计领域成功的应用了硅锗/硅量子阱材料,拓展了非制冷红外焦平面可使用的敏感材料范围;考虑到硅锗/硅量子阱材料是一种“立体”导电材料,通过刻蚀沟道的方式形成U字形回路...
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