技术编号：7245913
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种具有垂直导电沟道和增强耐压能力的半导体装置；本发明的半导体装置，为垂直型结构器件；本发明的半导体装置，具有垂直方向的导电沟道，电子由源极出发，流经水平沟道，并通过垂直深槽侧壁的沟道导通层强制转为垂直方向，通过器件底部的漂移区进入漏极；相对于传统的水平沟道的平面型HEMT器件，本发明的半导体装置不仅有着更为优异的单位面积的电流导通能力，能够有效降低器件的比导通电阻Ron-sp，而且本装置能够充分利用漂移区长度耐压，消除了传统横向器件的二维表面...
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