技术编号：7246011
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种鳍片型场效应晶体管（FinFET）及其制作方法，所述方法包括提供半导体衬底；在所述衬底上形成鳍片，所述鳍片形状为梯形；在所述鳍片的具有较长底边的第一侧与具有较短底边的第二侧之间形成栅极；在所述鳍片的所述第一侧上形成源区，在所述鳍片的所述第二侧上形成漏区。本发明提供了一种简化的工艺来制作非对称负交叠FinFET器件，达到减小栅漏电容的目的。同时采用自由基氧化工艺来制作栅极，可以改善器件的线宽粗糙度。专利说明[0001]本发明涉及半导体领域，具体...
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