技术编号：7246102
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，包括如下步骤1）在硅片表面淀积氧化膜和/或氮化膜作为阻挡层；2）在硅片上刻蚀深沟槽；3）用单晶硅或多晶硅填充所述深沟槽；4）采用化学机械研磨工艺对硅片表面进行平坦化处理，分为以下三步骤步骤A，通过化学机械研磨的方式将位于阻挡层上方的外延层研磨去除一半，化学机械研磨的残留物覆盖在凹槽中；步骤B，在研磨至一半的研磨量之后，将研磨头升起，并使用大量的处于常温的去离子水冲洗硅片以及研磨垫，将位于凹槽中的化学机械研磨的残留物去除；步骤C，将位于阻挡层上...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。