技术编号:7246165
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出一种,使用虚拟金属焊接盘连线连接多个虚拟金属焊接盘使之成为新的天线结构用于收集电荷,提高了天线结构的总体面积,从而提高天线比率,使等离子引入损伤发生的几率增加,进而便于快速发现导致所述半导体器件发生等离子体引入损伤的原因。专利说明[0001]本发明涉及半导体性能测试领域,尤其涉及一种。背景技术[0002]在半导体芯片制作过程中,等离子引入损伤(Plasma Induced Damage, PID)对半导体芯片质量及可靠性至关重要。PID可能出现在...
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