技术编号:7246170
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,涉及半导体。该方法包括步骤S101提供半导体衬底,该半导体衬底包括将其分成NMOS区和PMOS区的浅沟槽隔离以及分别位于所述NMOS区和PMOS区的NMOS和PMOS的栅极结构、栅极偏移侧壁和栅极主侧壁;步骤S102在所述PMOS的栅极结构两侧的所述半导体衬底上形成锗硅层;步骤S103在与所述浅沟槽隔离相邻的所述NMOS和PMOS各自的栅极主侧壁的外侧分别形成保护侧壁,其中,临近所述浅沟槽隔离的所述保护侧壁延伸至所述浅沟槽隔离的表面以下。本发明...
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