技术编号：7246172
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供，涉及半导体。该方法包括步骤S101提供半导体衬底，半导体衬底上形成有源极、漏极、伪栅极和伪栅极侧壁；步骤S102进行应力临近技术处理，去除部分伪栅极侧壁；步骤S103在半导体衬底上形成接触孔刻蚀阻挡层；步骤S104刻蚀接触孔刻蚀阻挡层以在源极和漏极的上方形成开口；步骤S?105对半导体衬底进行金属化以在源极和漏极上形成金属硅化物。本发明的半导体器件的制造方法，通过在伪栅极结构上形成接触孔刻蚀阻挡层并在接触孔刻蚀阻挡层上对应源极和漏极的位置形成开...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。