技术编号:7246373
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明实施例公开了一种金属氧化物半导体场效应晶体管,包括栅极、栅介电层、源极区、漏极区以及顶层掺杂区。漏极区位于基底中,漏极区具有第一导电型。源极区具有第一导电型,位于上述基底中,环绕于上述漏极区周围。栅极位于上述源极区与上述漏极区之间的上述基底上。栅介电层位于上述栅极与上述基底之间。顶层掺杂区具有第二导电型,位于上述栅极与上述漏极之间的上述基底中。上述顶层掺杂区包括至少三种区域,各自分别具有一掺质浓度梯度,且其浓度自接近上述栅极处至接近上述漏极区处渐减。...
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