技术编号：7246388
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。一种，所述隔离结构的形成方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有掩膜层；刻蚀所述掩膜层和半导体衬底，在所述半导体衬底内形成沟槽；采用可流动性化学沉积工艺，在沟槽内形成第二介质层，所述第二介质层填充沟槽内位于底部的部分空间；在沟槽内上部的剩余空间内形成第三介质层，所述第三介质层位于第二介质层上方。所述方法填充沟槽，能有效避免出现空洞，提高高深宽比沟槽的填充质量。专利说明[0001]本发明涉及半导体，特别涉及一种。背景技术[0002]亚微米和更小特征尺...
注意：该技术已申请专利，请尊重研发人员的辛勤研发付出，在未取得专利权人授权前，仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。