技术编号：7246666
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种改善MOS管的栅极漏电的方法，包含步骤如下1.1.在硅衬底上形成一层栅极介质层；1.2.在上述的栅极介质层上形成一层掺杂多晶硅层；1.3.在上述的掺杂多晶硅层上形成一层硅化钨层；1.4.在上述的硅化钨层上形成一层低阻金属层；1.5.重复1.3和1.4步骤，直至栅极金属层的厚度满足器件需求；1.6.在上述组合的栅极金属层上形成一层栅极介质隔离层；1.7.利用光刻和各向异性的干法刻蚀形成栅极图形；1.8.栅极图形形成后进行高温热处理；1.9.制...
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