技术编号:7246725
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供一种深孔硅刻蚀方法,将待处理硅片设置在等离子体处理室中,硅片表面包括图形化的掩膜层,通入第一反应气体对硅片进行刻蚀形成具有底切形貌的开口到第一深度。然后进入交替进行刻蚀和侧壁保护的主刻蚀阶段,在完成主刻蚀阶段后形成具有基本垂直侧壁形貌的侧壁。专利说明[0001]本发明涉及等离子体处理领域,尤其涉及一种深孔硅刻蚀方法以获得更佳的侧壁形貌。背景技术[0002]半导体制造中,在MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems...
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