技术编号:7246731
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,涉及半导体。本发明的形成高k金属栅极的方法包括步骤S101在反应室内提供形成有高k介电层的半导体衬底;步骤S102利用ALD工艺在所述高k介电层上形成金属薄膜;步骤S103对所述金属薄膜进行碳掺杂处理。本发明的形成高k金属栅极的方法,通过对形成的用于制作金属栅极的金属薄膜进行碳掺杂处理,降低了金属栅极的晶粒尺寸,减小了阈值电压变化,提高了半导体器件的性能。专利说明—种形成高k金属栅极的方法[0001]本发明涉及半导体,具体而言涉及。背景技术[0...
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