技术编号:7246752
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本申请公开了一种。一示例方法可以包括在衬底上依次形成第一半导体层和第二半导体层;对第二半导体层、第一半导体层进行构图,以形成鳍;在衬底上形成隔离层,所述隔离层露出所述第一半导体层的一部分;在隔离层上形成横跨鳍的牺牲栅堆叠;以牺牲栅堆叠为掩模,选择性刻蚀第二半导体层,以露出第一半导体层;选择性刻蚀第一半导体层,以在第二半导体层下方形成空隙;在所述空隙中填充电介质材料;在衬底上形成第三半导体层,用以形成源/漏区;以及形成栅堆叠替代牺牲栅堆叠。专利说明[0001...
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