技术编号:7246866
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。一种鳍部的制作方法,包括在半导体衬底上形成图形化的硬掩膜层;接着在所述图形化的硬掩膜层的侧壁形成侧墙;然后以所述侧墙为掩膜,对所述半导体衬底进行第一刻蚀形成逐渐变窄的沟槽;再接着在所述沟槽内填入氧化硅,而后去除沟槽内的部分氧化硅,并保留部分高度的氧化硅;随后去除所述侧墙,以所述硬掩膜层为掩膜对所述沟槽进行第二刻蚀以得到鳍式场效应晶体管的鳍部,所述鳍部位于沟槽开口处与底部处的侧壁分别与所述半导体衬底平面所成角度的范围为80度-85度、70度-80度。基于上述...
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