技术编号：7246965
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种降低LDMOS器件峰值电场的版图结构及方法，所述LDMOS器件包括第一导电类型的硅衬底，在硅衬底上形成具有与第一导电类型相反的第二导电类型的深阱；深阱中形成有场氧化层，场氧化层下方形成第一导电类型的埋层，埋层位于深阱的顶部或内部；LDMOS器件的源区由第二导电类型的第一掺杂区组成，该第一掺杂区形成于第一导电类型的阱区内，漏端由第二导电类型的第二掺杂区组成，该第二掺杂区形成于深阱中，所述埋层至少在靠近源区的一侧与深阱交替分布。本发明的埋层与深...
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