技术编号:7247031
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及一种半导体装置、一种包括该半导体装置的存储器系统以及一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置包括在衬底上形成的垂直沟道层;在每个垂直沟道层的长度周围交替形成的传导层图案和绝缘层图案;以及在每个垂直沟道层和每个传导层图案之间形成的电荷存储层图案,其中每个电荷存储层图案通过绝缘层图案隔离。专利说明半导体装置及其制造方法和存储器系统[0001]相关申请的交叉引用[0002]本申请基于在2012年6月13日提交韩国知识产权局的韩国专利申请第10-201...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。