技术编号:7247093
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种沟槽型MOS器件中沟槽栅的制备方法,其特征是沟槽底部的栅氧化膜较沟槽侧壁的栅氧化膜厚,包括以下步骤1在需要制作沟槽栅的硅片上经光刻和刻蚀的方法形成沟槽;2第一栅氧化膜的生长;3光刻胶的旋涂;4部分去除光刻胶,保留沟槽底部的光刻胶;5去除沟槽侧壁以及硅片表面的第一栅氧化膜,保留沟槽底部的第一栅氧化膜,然后去除沟槽底部的光刻胶;6第二栅氧化膜的生长;7多晶硅的填充;8通过回刻或化学机械研磨对多晶硅平坦化,形成最终的沟道栅。本发明能减少栅极和漏极...
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