技术编号：7247097
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种集成电路器件，该集成电路器件包括具有横向紧邻的第一掺杂类型的主体部分和第二掺杂类型的漂移区部分的衬垫层；形成在衬垫层中的沟槽，该沟槽延伸穿过主体部分和漂移区部分的界面；沿着主体部分和漂移区部分的界面形成在沟槽中和衬垫层的顶面上方的栅极；形成在位于栅极的相对侧的沟槽中的氧化物；以及内嵌在位于栅极相对的每一侧的氧化物中的场板。本发明还提供了具有沟槽场板的FinFET。专利说明具有沟槽场板的FinFET[0001]本发明一般地涉及半导体，更具体地...
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