技术编号:7247099
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种,包括在沟槽形成后进行硅片减薄,减薄后的硅片厚度比沟槽深度至少厚10微米,然后,采用红外线干涉探测的方式,从硅片背面对沟槽底部进行成像,观察沟槽底部的颗粒状况。本发明具有速度快、效率高、检查范围广等优点。专利说明[0001]本发明涉及一种半导体制造中的颗粒检测方法,特别是涉及一种。背景技术[0002]随着半导体技术的发展,对沟槽的深度要求越来越高,如从10微米到200微米都有,但随着技术发展可能会有更深的要求。[0003]目前,较多的沟槽深...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。