技术编号:7247167
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,涉及半导体。本发明的半导体器件,包括栅极结构,所述栅极结构中包括功函数金属层,其中,所述功函数金属层的中间区域与边缘区域的厚度不同。这一半导体器件,由于功函数金属层的中心区域和边缘区域厚度不同,可以起到调节栅极的功函数的作用,在一定程度上减小了半导体器件的短沟道效应。本发明的半导体器件的制造方法包括形成栅极的功函数金属层的步骤,其形成的功函数金属层的中间区域与边缘区域的厚度不同。该半导体器件的制造方法,通过将功函数金属层的中心区域和边缘区域设置...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。