技术编号:7247182
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供,涉及半导体。该方法包括步骤S101在半导体衬底上形成凹槽;步骤S102在所述半导体衬底上及凹槽中形成扩散阻挡层和种子层;步骤S103对所述种子层进行以氯为基础的表面处理;步骤S104利用含铜电解液对所述半导体衬底进行电化学电镀,以在所述凹槽中形成金属层。本发明的半导体器件的制造方法,通过在进行电化学电镀形成金属层的步骤之前增加对种子层进行以氯为基础的表面处理的步骤,改善了电化学电镀工艺的间隙填充能力,提高了形成的铜金属层的良率,进而提高了半导体...
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