技术编号:7247322
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及LED用晶片及其制造方法,提供一种LED用晶片及其制造方法,其采用因金属层均匀且浑然一体地形成、层间不产生剥离、且与LED的接触热阻极少,从而可保持稳定的散热性及机械强度的镀金属方法,同时不会因与半导体接合时产生的高热而使相反的下表面产生高热造成的问题。在由Mo构成的芯材的两面形成Ni或Ni合金的镀Ni层夹持镀Cu层的两面的夹层状的复合衬层,进一步在其上下形成镀Au层,在上下镀Au层上形成由AuSn合金、Au/Sn层压、In的任意一种形成的连接镀...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。