技术编号:7247333
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及集成电路以及用于制造集成电路的方法。集成电路包括晶格匹配结构。晶格匹配结构可以包括第一缓冲区、第二缓冲区和由AlxGa1-xN/AlyGa1-yN层对形成的超晶格结构。本发明提供了用于硅衬底上的III-V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层。专利说明用于硅衬底上的111-V族氮化物层的梯度氮化铝镓和超晶格缓冲层 [0001]本发明涉及集成电路以及用于制造集成电路的方法,具体而言,涉及在晶格匹配结构及其制造方法。背景技术[0002]在硅衬底上难...
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