技术编号：7247360
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种横向双扩散场效应晶体管(LDMOS)功率器件基本单元的新结构，包括以下特征外延层置于高掺杂剂衬底上，器件的导电沟道在外延层表面，沟道之上是栅极氧化层和栅极，沟道的一端经N型LDD连接至N型漏区，沟道的另一端经N型LDD连接至N型源区，在LDD区处加入电压浮动并与LDD区相反的掺杂区，漏区处有一导电深沟槽连接表面的LDD区至衬底，源区处接触孔沟槽穿过N型源区进入到P型基区，在接触孔沟槽底为高掺杂P区，接触孔沟槽有金属插塞填充，在器件的上表面为...
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