技术编号：7247373
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明提出一种，包括提供衬底；在衬底之上形成本征氮化镓层；在本征氮化镓层之上形成第一类型的氮化镓层；在第一类型的氮化镓层之上形成氮化镓/铟镓氮的量子阱结构，其中，氮化镓量子垒在第一温度、第一压强条件下、第一气氛中形成，铟镓氮量子阱在第二温度、第二压强下、第二气氛中形成；在阻挡层之上形成第二类型的氮化镓层，其中，第一温度高于第二温度，第一压强高于第二压强，第一气氛的气体比热容低于第二气氛的气体比热容。本发明具有温度转换快，生产效率高，所得到的量子阱质量好的优...
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