技术编号：7247411
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了，首先利用外延填充至芯片拐角处空洞将要封口时为止，此时利用一次光刻，将终端区沟槽以外的区域用光刻胶遮挡，然后利用干法刻蚀，将终端区沟槽封口变大，降低缝隙的深宽比，随后去除光刻胶，最后利用掺杂多晶硅填充工艺，将终端沟槽完全填充，并用CMP或者干法刻蚀的方法将表面多晶硅去除，或者也可以使用非掺杂多晶硅填充工艺，将终端沟槽完全填充，并用CMP或者干法刻蚀的方法将表面多晶硅去除，然后利用离子注入的方式对多晶硅进行掺杂。利用该改善工艺，可以去除芯片终端转...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权，增加技术思路，做技术知识储备，不适合论文引用。