技术编号:7247721
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。半导体器件的制造方法包括在半导体衬底中形成源/漏区;在半导体衬底上形成界面氧化物层;在界面氧化物层上形成高K栅介质;在高K栅介质上形成第一金属栅层;通过共形掺杂在第一金属栅层中注入掺杂剂;以及进行退火以改变栅叠层的有效功函数,其中栅叠层包括第一金属栅层、高K栅介质和界面氧化物层。专利说明[0001]本发明涉及半导体,具体地涉及包括金属栅和高K栅介质的。背景技术[0002]随着半导体技术的发展,金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。