技术编号:7247764
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法,该方法包括提供半导体衬底;在所述半导体衬底上生长栅极氧化层;在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅;在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜;在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅;在所述顶层非晶硅上淀积硬掩膜层;在所述硬掩膜层上形成宽度为32nm~45nm的光刻胶线条;以所述光刻胶线条为标准,对所述硬掩膜层、顶层非晶硅、ONO结构硬掩膜和底层非晶硅进行刻蚀,并去除所述光刻胶线条、硬掩膜层和顶层非晶硅。本发明还提供了一种后栅...
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