技术编号：7247774
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种，步骤包括1）在硅基板背面淀积二氧化硅刻蚀停止层；2）在硅基板正面淀积二氧化硅硬掩膜；3）光刻和二氧化硅硬掩膜干法刻蚀定义硅穿孔图形；4）间歇式干法刻蚀出硅通道；5）高能量各向同性干法刻蚀，形成漏斗形硅穿孔；6）低能量各向同性干法刻蚀；7）去除各刻蚀步骤形成的聚合物；8）湿法去除二氧化硅。本发明利用高精度的半导体工艺刻穿硅基板，形成硅片正面为漏斗形状的圆孔，作为光纤对准基座阵列，由于圆孔正面为较大的喇叭口，从而方便了光纤插入硅通道；同时，喇...
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