技术编号：7247777
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种。半导体元件包括一衬底、一外延层、一第一阱、一第二阱、一第三阱、一第一重掺杂区、一第二重掺杂区、一注入区及一导电层。外延层设置于衬底上。第一阱位于外延层内。第二阱位于外延层内。第三阱位于外延层内，并位于第一阱及第二阱之间。第一重掺杂区位于第一阱内。第二重掺杂区位于第二阱内。一表面通道形成于第一重掺杂区及第二重掺杂区之间。注入区整面配置地位于表面通道及衬底之间，并分布于该第一阱、该第二阱及该第三阱的投影范围。导电层设置于表面通道的上方。专利说...
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