技术编号:7247855
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。本发明公开了一种SONOS闪存存储器的结构,该存储器由一个选择管和一个存储管构成,该闪存存储器的存储管由ONO层和多晶硅栅组成;该闪存存储器的选择管由中压氧化层和多晶硅栅组成;存储管和选择管之间距离很小,存储管多晶硅栅到选择管多晶硅栅的距离为0.06~0.16μm;存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅上方有侧壁氧化层和氮化硅层;存储管多晶硅栅和选择管多晶硅栅的侧壁有氮化硅侧墙。此外,本发明还公开了该SONOS闪存存储器的制造方法。本发明能够有效的缩小存储单元的面...
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